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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2000 [7]
学科主题
半导体材料 [7]
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发表日期:2000
学科主题:半导体材料
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X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32
Pan Z
;
Wang YT
;
Li LH
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
x-ray diffraction
strain relaxation
GaNxAs1-x/GaAs
photoluminescence
RHEED
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE PULSED OPERATION
BAND-GAP ENERGY
NITROGEN
GAASN
GANXAS1-X
GAAS1-XNX
ALLOYS
LASERS
LAYERS
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Lin YW
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhou ZQ
;
Wang H
;
Zhang W
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/15
GaNAs
DC active N-2 plasma
molecular beam epitaxy
nitrogen content
Fourier transform infrared spectroscopy of intensity
BAND-GAP ENERGY
GAAS1-XNX
NITROGEN
Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359
Zhang MH
;
Han YJ
;
Zhang YH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Wang WX
;
Zhou JM
;
Lu LW
收藏
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/08/12
LT-GaAs
LT MQWs
defect
photoluminescence
electroabsorption
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
RECOMBINATION
DYNAMICS
Investigation of defects in low-temperature-grown GaAs using optical transient spectroscopy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 351-354
Zhang YH
;
Lu LW
;
Zhang MH
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Zhou JM
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
low-temperature-grown GaAs
optical transient spectroscopy
BEAM-EPITAXIAL GAAS
Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Zhou ZQ
;
Zhang W
;
Wang YT
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/08/12
GaNAs/GaAs superlattice
X-ray diffraction
periodicity fluctuation
MBE
RHEED
BAND-GAP ENERGY
NITROGEN
ALLOYS
DIFFRACTION
COEFFICIENT
SOLUBILITY
OPERATION
GAAS1-XNX
GAASN
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 249-252
Lin YW
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhou ZQ
;
Wang H
;
Zhang W
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
GaNAs
DC active N-2 plasma
molecular beam epitaxy
nitrogen content
Fourier transform infrared spectroscopy of intensity
BAND-GAP ENERGY
GAAS1-XNX
NITROGEN
Self-ordering of quasi-quantum wire in InAlAs/AlGaAs multilayer nanostructure and its optical anisotropy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 994-998
Chen Y
;
Li GH
;
Zhang W
;
Zhu ZM
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Zhou W
;
Wang ZG
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
quantum wire
polarization
photoluminescence
DOTS
TEMPERATURE
CONFINEMENT
PHOTOLUMINESCENCE
ARRAY
GAAS
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