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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1999     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same 专利 专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/26 A method of fabricating a semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg 专利 专利号: EP0693810B1, 申请日期: 1999-04-28, 公开日期: 1999-04-28 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/24