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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：1999    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hydrogen contaminant and its correlation with background electrons in gan 期刊论文 Semiconductor science and technology, 1999, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 403-405 作者:  Zhang, JP;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Kong, MY;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Electrical properties of gan deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using nh3 cracked on the growing surface 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 页码: 429-432 作者:  Zhang, JP;  Sun, DZ;  Li, XB;  Wang, XL;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hydrogen contaminant  Gsmbe  Raman spectrum   Stress corrosion studies of ion implanted austenitic steel 期刊论文 Journal of materials science, 1999, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 2159-2162 作者:  Zhang, XL;  Jin, JC;  Xie, Z;  Li, JM;  Wang, PD 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 P-type co-doping study of gan by photoluminescence 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 368-371 作者:  Zhang, JP;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Kong, MY;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 P-type co-doping  Photoluminescence  Acceptor ionization energy   Hydrogen contaminant and its correlation with background electrons in GaN 期刊论文 semiconductor science and technology, 1999, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 403-405 Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 GALLIUM NITRIDE  FILMS  DONOR   p-type co-doping study of GaN by photoluminescence 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 368-371 Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 p-type co-doping  photoluminescence  acceptor ionization energy  IMPLANTED GAN  TRANSITIONS  ENERGY  GALLIUM NITRIDE   Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 STRESS  GROWTH   Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 429-432 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  hydrogen contaminant  GSMBE  Raman spectrum  GROWTH  STRESS   Stress corrosion studies of ion implanted austenitic steel 期刊论文 journal of materials science, 1999, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 2159-2162 Zhang XL; Jin JC; Xie Z; Li JM; Wang PD; Liu GB; Long B 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12