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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1997    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Intersubband absorption from In0.26Ga0.74As/GaAs quantum dot superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 760-764 Pan D; Zeng YP; Li JM; Zhang CH; Kong MY; Wang HM; Wang CY; Wu J 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum dot  intersubband absorption  quantum dot infrared photodetector  WELL INFRARED PHOTODETECTORS  PHONON-SCATTERING  LUMINESCENCE  GAAS(100)   优质应变Si_(1-x)Ge_x/Si超晶格的气源分子束处延 期刊论文 电子显微学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 395 Zou L F; Wang Z G; Sun D Z; Liu X F; Zhang J W; Li J P; Kong M Y; Lin L Y 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 808 nm high-power laser grown by MBE through the control of Be diffusion and use of superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1004-1008 Zhu DH; Wang ZG; Liang JB; Xu B; Zhu ZP; Zhang J; Gong Q; Li SY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 high-power  semiconductor laser  MBE  quantum well  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-WELL LASERS  BERYLLIUM  DIODES  MIGRATION  OPERATION  MIRRORS