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科研机构
西安光学精密机械研... [39]
内容类型
专利 [30]
期刊论文 [9]
发表日期
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专题:西安光学精密机械研究所
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Wide spectrum responsivity detectors from visible to mid-infrared based on antimonide
期刊论文
Infrared Physics and Technology, 2019, 卷号: 96, 页码: 1-6
作者:
Guo, Chunyan
;
Sun, Yaoyao
;
Jia, Qingxuan
;
Jiang, Zhi
;
Jiang, Dongwei
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2018/12/03
Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:
Li, Jin-Lun
;
Cui, Shao-Hui
;
Xu, Jian-Xing
;
Cui, Xiao-Ran
;
Guo, Chun-Yan
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2018/05/14
Thz Detector
High Electron Mobility Transistor
Two-dimensional Electron Gas
Inp
Ultrafast all-optical imaging technique using low-temperature grown GaAs/AlxGa1-xAs multiple-quantum-well semiconductor
期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 2017, 卷号: 381, 期号: 41, 页码: 3594-3598
作者:
Gao, Guilong
;
Tian, Jinshou
;
Wang, Tao
;
He, Kai
;
Zhang, Chunmin
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2017/12/25
Ultrafast Optics
Optical Imaging System
Ultrafast Semiconductor Chip
Framing Camera
Ultrafast Measurements
MBE growth of a semiconductor laser diode
专利
专利号: US7867799, 申请日期: 2011-01-11, 公开日期: 2011-01-11
作者:
HOOPER, STEWART
;
BOUSQUET, VALERIE
;
JOHNSON, KATHERINE L.
;
KAUER, MATTHIAS
;
HEFFERNAN, JONATHAN
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
Hybrid beam deposition system and methods for fabricating metal oxide-ZnO films, p-type ZnO films, and ZnO-based II-VI compound semiconductor devices
专利
专利号: US7824955, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
作者:
WHITE, HENRY W.
;
RYU, YUNGRYEL
;
LEE, TAE-SEOK
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/24
MBE growth of an algan layer or AlGaN multilayer structure
专利
专利号: US7504321, 申请日期: 2009-03-17, 公开日期: 2009-03-17
作者:
BOUSQUET, VALERIE
;
HOOPER, STEWART EDWARD
;
BARNES, JENNIFER MARY
;
JOHNSON, KATHERINE L.
;
HEFFERNAN, JONATHAN
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/24
Methods of making optical waveguide structures by way of molecular beam epitaxy
专利
专利号: WO2008047240A3, 申请日期: 2008-04-24, 公开日期: 2008-04-24
作者:
KUMARAN, RAVEEN
;
PENSON, SHAWN
;
ROBIN, IVAN-CHRISTOPHE
;
TIEDJE, THOMAS
;
WEBSTER, SCOTT
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/13
Enhancement-mode thin film transistor with nitrogen-doped ZnO channel layer deposited by laser molecular beam epitaxy
期刊论文
thin solid films, 2008, 卷号: 516, 期号: 10, 页码: 3305-3308
作者:
Zhang, Xin-An
;
Zhang, Jing-Wen
;
Zhang, Wei-Feng
;
Wang, Dong
;
Bi, Zhen
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2011/09/30
L-MBE
zinc oxide
thin film transistor
doping
Study on pulsed laser ablation and deposition of ZnO thin films by L-MBE
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2007, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 290-301
作者:
He YongNing
;
Zhang JingWen
;
Yang XiaoDong
;
Xu QingAn
;
Zhu ChangChun
收藏
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浏览/下载:324/12
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提交时间:2010/01/12
ZnO thin film
L-MBE
dynamic mechanism
Optical and structural properties of self-assembled ZnO QD chains by L-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 407-413
作者:
Bi Zhen
;
Zhang Jingwen
;
Yang Xiaodong
;
Wang Dong
;
Zhang Xin'an
收藏
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浏览/下载:235/62
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提交时间:2010/01/12
low dimensional structures
laser epitaxy
semiconducting II-VI materials
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