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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device 专利 专利号: US7635872, 申请日期: 2009-12-22, 公开日期: 2009-12-22 作者:  ASANO, HIDEKI 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 Semiconductor device and method of manufacturing the same 专利 专利号: US6570189, 申请日期: 2003-05-27, 公开日期: 2003-05-27 作者:  KASHIMA, YASUMASA;  MUNAKATA, TSUTOMU 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 Method of varying a characteristic of an optical vertical cavity structure formed by metalorganic vapor phase epitaxy 专利 专利号: US6258615, 申请日期: 2001-07-10, 公开日期: 2001-07-10 作者:  HOU, HONG Q.;  COLTRIN, MICHAEL E.;  CHOQUETTE, KENT D. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Method for producing various semiconductor optical devices of differing optical characteristics 专利 专利号: US5585957, 申请日期: 1996-12-17, 公开日期: 1996-12-17 作者:  NAKAO, MASASHI;  KONDOU, YASUHIRO;  OKAYASU, MASANOBU;  NAGANUMA, MITSURU;  SUZUKI, YASUHIRO 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of manufacturing buried heterostructure semiconductor laser 专利 专利号: US5260230, 申请日期: 1993-11-09, 公开日期: 1993-11-09 作者:  KONDO, YASUHIRO 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/24 Method for producing semiconductor and semiconductor laser device 专利 专利号: US20010008285A1, 公开日期: 2001-07-19 作者:  TSUJIMURA, AYUMU;  HASEGAWA, YOSHIAKI;  ISHIBASHI, AKIHIKO;  KIDOGUCHI, ISAO;  BAN, YUZABURO 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 Maskless lateral epitaxial overgrowth of aluminum nitride and high aluminum composition aluminum gallium nitride 专利 专利号: WO2005041269A3, 公开日期: 2006-03-30 作者:  KATONA THOMAS M;  KELLER STACIA;  ALEJANDRO PABLO CANTU 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26