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| LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer 专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者: CHEN, ZHEN
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| LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate 专利
专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21
作者: CHEN, ZHEN
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers 专利
专利号: US20130032836A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07
作者: CHEN, ZHEN; FU, YI
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| 半導体光素子および光通信システム 专利
专利号: JP2889594B2, 申请日期: 1999-02-19, 公开日期: 1999-05-10
作者: 魚見 和久; 大歳 創; 土屋 朋信; 佐々木 真二; 茅根 直樹
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| 半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1995016080B2, 申请日期: 1995-02-22, 公开日期: 1995-02-22
作者: 萬濃 正也; 小倉 基次
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| 半導体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP1994097706B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者: 山口 昭夫
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 光電子集積回路の製造方法 专利
专利号: JP1994012809B2, 申请日期: 1994-02-16, 公开日期: 1994-02-16
作者: 寺門 知二
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| - 专利
专利号: JP1993004832B2, 申请日期: 1993-01-20, 公开日期: 1993-01-20
作者: IKEDA KENJI; IKUWA YOSHITO; AOYANAGI TOSHITAKA
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1992314375A, 申请日期: 1992-11-05, 公开日期: 1992-11-05
作者: HONDA KAZUO
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| Manufacture of semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1992249384A, 申请日期: 1992-09-04, 公开日期: 1992-09-04
作者: MURAKAMI TOMOKI
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