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Synthetic aircraft RS image modelling based on improved conditional GAN joint embedding network 期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2022, 卷号: 12, 期号: 1
作者:  Chen, Junyu;  Li, Haiwei;  Song, Liyao;  Zhang, Geng;  Hu, Bingliang
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Method to fabricate GaN-based vertical-cavity surface-emitting devices featuring silicon-diffusion defined current blocking layer 专利
专利号: US20170104315A1, 申请日期: 2017-04-13, 公开日期: 2017-04-13
作者:  YEH, PING-HUI;  YU, MENG-CHUN;  LIN, JIA-HUAN;  HUANG, CHING-CHIN
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
Light-emitting diode and method for preparing the same 专利
专利号: US9087933, 申请日期: 2015-07-21, 公开日期: 2015-07-21
作者:  XU, JIN;  WANG, JIANGBO;  LIU, RONG
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/24
Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Laser diode and method for fabricating same 专利
专利号: US8679876, 申请日期: 2014-03-25, 公开日期: 2014-03-25
作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  HANSEN, MONICA;  DENBAARS, STEVEN;  NAKAMURA, SHUJI;  BRANDES, GEORGE
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
Laser diodes including substrates having semipolar surface plane orientations and nonpolar cleaved facets 专利
专利号: WO2013181040A1, 申请日期: 2013-12-05, 公开日期: 2013-12-05
作者:  BHAT, RAJARAM;  SIZOV, DMITRY SERGEEVICH;  ZAH, CHUNG-EN
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31
Enhanced planarity in GaN edge emitting lasers 专利
专利号: US8355422, 申请日期: 2013-01-15, 公开日期: 2013-01-15
作者:  BHAT, RAJARAM
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26
Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices 专利
专利号: US20120080688A1, 申请日期: 2012-04-05, 公开日期: 2012-04-05
作者:  RAFFETTO, MARK;  BHARATHAN, JAYESH;  HABERERN, KEVIN;  BERGMANN, MICHAEL;  EMERSON, DAVID
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30
Nitride based semiconductor device and fabrication method for the same 专利
专利号: US8144743, 申请日期: 2012-03-27, 公开日期: 2012-03-27
作者:  NAKAGAWA, DAISUKE;  TANAKA, YOSHINORI;  MURAYAMA, MASAHIRO;  FUJIMORI, TAKAO;  KOHDA, SHINICHI
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26
Nitride semiconductor laser device 专利
专利号: US8085826, 申请日期: 2011-12-27, 公开日期: 2011-12-27
作者:  TSUDA, YUHZOH;  OHTA, MASATAKA;  FUJISHIRO, YOSHIE
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