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一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片 专利
专利号: CN101478114A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08
作者:  邓昀;  曲轶;  张晶;  乔忠良;  李辉
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP4219010B2, 申请日期: 2008-11-21, 公开日期: 2009-02-04
作者:  高橋 幸司
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Quantum cascade laser 专利
专利号: US7359418, 申请日期: 2008-04-15, 公开日期: 2008-04-15
作者:  EDAMURA, TADATAKA;  AKIKUSA, NAOTA
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Multiple GaInNAs quantum wells for high power applications 专利
专利号: US20060039432A1, 申请日期: 2006-02-23, 公开日期: 2006-02-23
作者:  HA, WONILL;  GAMBIN, VINCENT;  HARRIS, JAMES S.
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Laser diode device with nitrogen incorporating barrier 专利
专利号: US20050202614A1, 申请日期: 2005-09-15, 公开日期: 2005-09-15
作者:  SPRUYTTE, SYLVIA;  LARSON, MICHAEL C.;  HARRIS, JAMES S.;  COLDREN, CHRISTOPHER
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量子阱结构的半导体装置和用该装置的激光器及制造方法 专利
专利号: CN1638219A, 申请日期: 2005-07-13, 公开日期: 2005-07-13
作者:  金起成
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面発光レーザ 专利
专利号: JP2005142456A, 申请日期: 2005-06-02, 公开日期: 2005-06-02
作者:  清水 均;  カシミルス·セティアグン
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Semiconductor optical device and method of manufacturing the same 专利
专利号: US6625187, 申请日期: 2003-09-23, 公开日期: 2003-09-23
作者:  IKOMA, NOBUYUKI;  ISHIDA, AKIRA;  TAKAGISHI, SHIGENORI;  TAKAHASHI, MITSUO;  KATSUYAMA, TSUKURU
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Light emitting semiconductor device with GaInNAs active layer and GaAs spacer layers 专利
专利号: US6617618, 申请日期: 2003-09-09, 公开日期: 2003-09-09
作者:  SATO, SHUNICHI
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光送受信システムおよび光通信システム 专利
专利号: JP2002374039A, 申请日期: 2002-12-26, 公开日期: 2002-12-26
作者:  関谷 卓朗;  加藤 正良;  金井 健;  桜井 彰;  佐藤 俊一
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