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Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed 专利
专利号: US7257143, 申请日期: 2007-08-14, 公开日期: 2007-08-14
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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High power semiconductor device to output light with low-absorbtive facet window 专利
专利号: US20070153857A1, 申请日期: 2007-07-05, 公开日期: 2007-07-05
作者:  CHUA, CHRISTOPHER L.;  KNEISSL, MICHAEL A.;  JOHNSON, NOBLE M.;  KIESEL, PETER
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Gain-coupled distributed feedback semiconductor laser device and production method therefor 专利
专利号: US7016391, 申请日期: 2006-03-21, 公开日期: 2006-03-21
作者:  TAKAHASHI, KOJI
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有源區中含銦的垂直腔面發射激光器 专利
专利号: HK1075334A, 申请日期: 2005-12-09, 公开日期: 2005-12-09
作者:  R.H.約翰遜
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Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed 专利
专利号: US20050129078A1, 申请日期: 2005-06-16, 公开日期: 2005-06-16
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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Type II quantum well optoelectronic devices 专利
专利号: US6791104, 申请日期: 2004-09-14, 公开日期: 2004-09-14
作者:  TANSU, NELSON;  MAWST, LUKE J.
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Vertical cavity surface emitting laser including indium and antimony in the active region 专利
专利号: WO2003058771A3, 申请日期: 2004-03-18, 公开日期: 2004-03-18
作者:  JOHNSON RALPH H
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Vertical cavity surface emitting laser including indium and nitrogen in the active region 专利
专利号: WO2003058770A2, 申请日期: 2003-07-17, 公开日期: 2003-07-17
作者:  JOHNSON, RALPH, H.
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Vertical cavity surface emitting laser including indium in the active region 专利
专利号: WO2003055022A1, 申请日期: 2003-07-03, 公开日期: 2003-07-03
作者:  JOHNSON, RALPH, H.
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光電子集積回路素子 专利
专利号: JP1997213918A, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-08-15
作者:  大久保 典雄
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