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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2912624B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-28
作者:  田中 俊明;  河野 敏弘;  梶村 俊
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2910115B2, 申请日期: 1999-04-09, 公开日期: 1999-06-23
作者:  成井 啓修;  平田 照二
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Semiconductor laser device and fabricating method thereof 专利
专利号: GB2301481B, 申请日期: 1997-10-08, 公开日期: 1997-10-08
作者:  SHOICHI, , KARAKIDA;  MOTOHARU, , MIYASHITA;  YUTAKA, , MIHASHI
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2685818B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-03
作者:  新田 康一;  石川 正行
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分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2669045B2, 申请日期: 1997-07-04, 公开日期: 1997-10-27
作者:  阿部 雄次;  大塚 健一;  杉本 博司;  大石 敏之;  松井 輝仁
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2616185B2, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-06-04
作者:  藤井 宏明
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半導体発光素子 专利
专利号: JP1995040620B2, 申请日期: 1995-05-01, 公开日期: 1995-05-01
作者:  西 研一
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Strained quantum well semiconductor laser and its manufacture 专利
专利号: JP1992373190A, 申请日期: 1992-12-25, 公开日期: 1992-12-25
作者:  OTSUKA NOBUYUKI;  KITO MASAHIRO;  MATSUI YASUSHI
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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1992303987A, 申请日期: 1992-10-27, 公开日期: 1992-10-27
作者:  ARIMOTO SATOSHI
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1992137581A, 申请日期: 1992-05-12, 公开日期: 1992-05-12
作者:  ARIMOTO SATOSHI;  KAGEYAMA SHIGEMI
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