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N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers 专利
专利号: US20130032836A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07
作者:  CHEN, ZHEN;  FU, YI
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Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same 专利
专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
作者:  STRITTMATTER, ANDRE;  JOHNSON, NOBLE M.;  TEEPE, MARK;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  YANG, ZHIHONG
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Compact, all solid-state, avalanche photodiode emitter-detector pixel with electronically selectable, passive or active detection mode, for large-scale, high resolution, imaging focal plane arrays 专利
专利号: US8320423, 申请日期: 2012-11-27, 公开日期: 2012-11-27
作者:  STERN, ALVIN GABRIEL
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Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer 专利
专利号: US8000366, 申请日期: 2011-08-16, 公开日期: 2011-08-16
作者:  BOUR, DAVID P.;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  JOHNSON, NOBLE M.;  YANG, ZHIHONG
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Gallium nitride-on-silicon interface using multiple aluminum compound buffer layers 专利
专利号: US7598108, 申请日期: 2009-10-06, 公开日期: 2009-10-06
作者:  LI, TINGKAI;  TWEET, DOUGLAS J.;  MAA, JER-SHEN;  HSU, SHENG TENG
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Ultraviolet group III-nitride-based quantum well laser diodes 专利
专利号: US20050224781A1, 申请日期: 2005-10-13, 公开日期: 2005-10-13
作者:  KNEISSL, MICHAEL A.;  TREAT, DAVID W.
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Group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US6617061, 申请日期: 2003-09-09, 公开日期: 2003-09-09
作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO
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Group III nitride compound semiconductor device 专利
专利号: US6552376, 申请日期: 2003-04-22, 公开日期: 2003-04-22
作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO
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Structural tuning of residual conductivity in highly mismatched III-V layers 专利
专利号: US6406931, 申请日期: 2002-06-18, 公开日期: 2002-06-18
作者:  HAN, JUNG;  FIGIEL, JEFFREY J.
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Semiconductor laser device, method for producing the same, and optical disk device 专利
专利号: EP1164669A1, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2001-12-19
作者:  SUGAHARA, GAKU;  KIDOGUCHI, ISAO
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