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| 化合物半導体表面の安定化方法、それを用いた半導体レーザ素子の製造方法、および半導体レーザ素子等の半導体素子 专利
专利号: JP2001053374A, 申请日期: 2001-02-23, 公开日期: 2001-02-23
作者: 渡辺 昌規
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3129973B2, 申请日期: 2000-11-17, 公开日期: 2001-01-31
作者:
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| 結晶成長方法 专利
专利号: JP1997293737A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11
作者: 奥山 浩之
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 結晶成長方法 专利
专利号: JP1997293738A, 申请日期: 1997-11-11, 公开日期: 1997-11-11
作者: 奥山 浩之
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997139549A, 申请日期: 1997-05-27, 公开日期: 1997-05-27
作者: 中塚 慎一; 後藤 順; 大家 彰; 河田 雅彦; 百瀬 正之
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP1996222583A, 申请日期: 1996-08-30, 公开日期: 1996-08-30
作者: 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 恭久; 藤井 智
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| 半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP1996222584A, 申请日期: 1996-08-30, 公开日期: 1996-08-30
作者: 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 恭久; 藤井 智
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1996064898A, 申请日期: 1996-03-08, 公开日期: 1996-03-08
作者: 中塚 慎一; 後藤 順
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 歪量子井戸レーザーの製造方法 专利
专利号: JP1995283478A, 申请日期: 1995-10-27, 公开日期: 1995-10-27
作者: 佐藤 淳一
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP1995249837A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
作者: 藤田 恭久; 藤井 智; 寺田 敏行; 鈴木 哲哉
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