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长春应用化学研究所 [8]
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专利 [2]
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发表日期
2015 [1]
2014 [1]
2012 [1]
2004 [1]
2001 [1]
1984 [1]
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专题:长春应用化学研究所
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透明电极及其制备方法与应用
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201510039600.3, 申请日期: 2015-01-27,
作者:
杨小牛
;
张通
;
叶峰
;
赵晓礼
;
陈家悦
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/02/22
一种直接制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201410777229.6, 申请日期: 2014-12-25,
作者:
潘道成
;
陶影
;
李伸杰
收藏
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2017/02/22
高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的制备与光电特性研究
期刊论文
发光学报, 2012, 卷号: 33, 期号: 10, 页码: 1055-1059
田苗苗
;
李春杰
;
贺小光
;
郭峰
;
范翊
;
王宁
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2013/11/17
功函数
掺杂
透明导电薄膜
光致发光
ITO导电玻璃和PDMS微芯片毛细管电泳电化学发光检测的研究
学位论文
博士, 中国科学院长春应用化学研究所: 中国科学院长春应用化学研究所, 2004
邱海波
收藏
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2011/01/17
微芯片毛细管电泳
电化学发光
双检测
柠檬酸-凝胶法合成ZnGa_2O_4:Mn~(2+)/Eu~(3+)及其发光性能的研究
期刊论文
第九届全国发光学术会议摘要集, 2001
于敏
;
周永惠
;
林君
收藏
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浏览/下载:756/38
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提交时间:2010/11/09
电子束蒸发制备的铟锡氧化物薄膜及其光电性质
期刊论文
真空科学与技术学报, 1984, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 235-239
肖树义
;
张瑞峰
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/06/15
制备
方块电阻
铟锡氧化物薄膜
薄膜厚度
透光率
热处理
光电性质
电子束蒸发
电阻率
电子束法
真空热处理对氧化物半导体薄膜电阻的影响
期刊论文
半导体技术, 1983, 期号: 3, 页码: 33-35
李春鸿
;
姜克斌
收藏
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浏览/下载:130/0
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提交时间:2012/06/15
喷涂热解法
真空热处理
降低电阻率
薄膜电阻
氧化物半导体
喷涂时间
SIS太阳电池
期刊论文
功能材料, 1982, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 27-32
李春鸿
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2012/06/15
功函数
半导体材料
转换效率
太阳电池
半导体薄膜
降低成本
绝缘层
电池结构
界面层
氧化物半导体
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