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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2020 [3]
2016 [2]
2011 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
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High operating temperature pBn barrier mid-wavelength infrared photodetectors and focal plane array based on InAs/InAsSb strained layer superlattices
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2020, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 17611-17619
作者:
Gongrong Deng
;
Dongqiong Chen
;
Shaopei Yang
;
Chaowei Yang
;
Jun Yuan
;
Wenyun Yang
;
Yiyun Zhang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2021/06/16
Upside-down InAs/InAs1-xSbx type-II superlattice-based nBn mid-infrared photodetectors with an AlGaAsSb quaternary alloy barrier
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2020, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 13616-13624
作者:
Gongrong Deng
;
Xinbo Song
;
Mingguo Fan
;
Tingting Xiao
;
Zhibing Luo
;
Niu Chen
;
Wenyun Yang
;
Yiyun Zhang
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2021/06/22
High-performance uncooled InAsSb-based pCBn mid-infrared photodetectors
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 105, 页码: 103260
作者:
Gongrong Deng
;
Wenyun Yang
;
Xiaoxia Gong
;
Yiyun Zhang
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2021/12/17
Growth and characterization of InAs/InAsSb superlattices by metal organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors
期刊论文
materials letters, 2016, 卷号: 164, 期号: 1, 页码: 213–216
Zhen-Dong Ning
;
Shu-Man Liu
;
Shuai Luo
;
Fei Ren
;
Fengjiao Wang
;
Tao Yang
;
Feng-Qi Liu
;
Zhan-Guo Wang
;
Lian-Cheng Zhao
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2017/03/10
Structural and optical properties of InAs/InAsSb superlattices grown by metal organic chemical vapor deposition for mid-wavelength infrared photodetectors
期刊论文
applied surface science, 2016, 卷号: 368, 页码: 110–113
Zhen-Dong Ning
;
Shu-Man Liu
;
Shuai Luo
;
Fei Ren
;
Fengjiao Wang
;
Tao Yang
;
Feng-Qi Liu
;
Zhan-Guo Wang
;
Lian-Cheng Zhao
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/10
Effect of compensation doping on the electrical and optical properties of mid-infrared type-ii inas/gasb superlattice photodetectors
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 6
作者:
Wang Yong-Bin
;
Xu Yun
;
Zhang Yu
;
Yu Xiu
;
Song Guo-Feng
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/12
Inas/gasb superlattices
P-doping concentration
Electrical and optical properties
Effect of compensation doping on the electrical and optical properties of mid-infrared type-II InAs/GaSb superlattice photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Wang YB
;
Xu Y
;
Zhang Y
;
Yu X
;
Song GF
;
Chen LH
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浏览/下载:49/4
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提交时间:2011/07/07
InAs/GaSb superlattices
p-doping concentration
electrical and optical properties
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