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半导体研究所 [66]
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期刊论文 [65]
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Impurity Resonant States p-type Doping in Wide-Band-Gap Nitrides
期刊论文
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 19537
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Zhiguo Yu
;
Gongdong Yuan
;
Yang Liu
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
;
Na Lu
;
Ian Ferguson
;
Yong Zhang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/03/16
Quantum corrals and quantum mirages on the surface of a topological insulator
期刊论文
Physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 23, 页码: 5
作者:
Fu, Zhen-Guo
;
Zhang, Ping
;
Wang, Zhigang
;
Li, Shu-Shen
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/12
Stability of the positively charged manganese centre in gaas heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the gamma critical point
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 8
作者:
Wang Li-Guo
;
Shen Chao
;
Zheng Hou-Zhi
;
Zhu Hui
;
Zhao Jian-Hua
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Charged acceptor centre
Screening effect
Exchange interaction
Formation of shallow acceptors in zno doped by lithium with the addition of nitrogen
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729
作者:
Gai, Yanqin
;
Tang, Gang
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/05/12
Semiconductors
Ab initio calculations
Defects
Electronic structure
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
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浏览/下载:47/5
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: first-principles calculations of the electronic structure of bi and n incorporated gaas
期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 4
作者:
Deng, Hui-Xiong
;
Li, Jingbo
;
Li, Shu-Shen
;
Peng, Haowei
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in si-doped al0.3ga0.7as
期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6
作者:
Misuraca, Jennifer
;
Trbovic, Jelena
;
Lu, Jun
;
Zhao, Jianhua
;
Ohno, Yuzo
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202
Misuraca J (Misuraca Jennifer)
;
Trbovic J (Trbovic Jelena)
;
Lu J (Lu Jun)
;
Zhao JH (Zhao Jianhua)
;
Ohno Y (Ohno Yuzo)
;
Ohno H (Ohno Hideo)
;
Xiong P (Xiong Peng)
;
von Molnar S (von Molnar Stephan)
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/10/11
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
DX CENTERS
ALXGA1-XAS
GAAS
SEMICONDUCTORS
Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
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