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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [3]
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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Homogeneous epitaxial growth of n,n '-di(n-butyl)quinacridone thin films on ag(110)
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7162-7166
作者:
Lin, Feng
;
Fang, Zheyu
;
Qu, Shengchun
;
Huang, Shan
;
Song, Wentao
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提交时间:2019/05/12
Qa4c
Molecular beam epitaxy (mbe)
Leed
Commensurate and incommensurate
Homogeneous Epitaxial Growth of N,N '-di(n-butyl)quinacridone Thin Films on Ag(110)
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7162-7166
Lin F (Lin Feng)
;
Fang ZY (Fang Zheyu)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Huang S (Huang Shan)
;
Song WT (Song Wentao)
;
Chi LF (Chi Lifeng)
;
Zhu X (Zhu Xing)
收藏
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提交时间:2010/11/30
MOLECULAR-BEAM DEPOSITION
QUASIEPITAXIAL GROWTH
ORGANIC FILMS
LEED
PTCDA
STM
MONOLAYERS
GRAPHITE
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
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