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半导体研究所 [71]
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Electronic band structures and electron spins of inas/gaas quantum dots induced by wetting-layer fluctuation
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Ning, J. Q.
;
Xu, S. J.
;
Ruan, X. Z.
;
Ji, Yang
;
Zheng, H. Z.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Effective channels of breaking the phonon bottleneck: a lattice relaxation approach
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 4, 页码: 5
作者:
Wang, Zi-Wu
;
Li, Shu-Shen
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Electron spin relaxation in a single inas quantum dot measured by tunable nuclear spins
期刊论文
Physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 3, 页码: 4
作者:
Dou, X. M.
;
Sun, B. Q.
;
Jiang, D. S.
;
Ni, H. Q.
;
Niu, Z. C.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown gaas/algaas quantum wells
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130
作者:
Han, L. F.
;
Zhang, X. H.
;
Ni, H. Q.
;
Niu, Z. C.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown GaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130
作者:
Zhang XH
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浏览/下载:47/3
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提交时间:2011/07/05
ZINCBLENDE HETEROSTRUCTURES
RELAXATION ANISOTROPY
SYSTEMS
SPINTRONICS
DYNAMICS
Temperature and electron density dependence of spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum well
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.84
Han LF
;
Zhu YG
;
Zhang XH
;
Tan PH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:46/2
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提交时间:2011/07/05
ROOM-TEMPERATURE
Temperature and electron density dependence of spin relaxation in gaas/algaas quantum well
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 5
作者:
Han, Lifen
;
Zhu, Yonggang
;
Zhang, Xinhui
;
Tan, Pingheng
;
Ni, Haiqiao
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin inas monolayers
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600
作者:
Li, T.
;
Zhang, X. H.
;
Zhu, Y. G.
;
Huang, X.
;
Han, L. F.
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Ultrathin inas monolayer
Hole spin relaxation
Dp mechanism
Electron spin dynamics in heavily Mn-doped (Ga,Mn)As
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262109
作者:
Chen L
;
Zhang XH
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浏览/下载:63/6
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提交时间:2011/07/05
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
GAAS
Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin InAs monolayers
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600
作者:
Zhang XH
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/04/28
Ultrathin InAs monolayer
Hole spin relaxation
DP mechanism
SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
WELLS
GAAS
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