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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Oxygen precipitation in floating-zone silicon grown in hydrogen ambience and its application 期刊论文 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2001, 卷号: 83, 期号: 1-3, 页码: 106-110 作者:  Li, HX;  Li, CB;  He, YJ;  Liu, GR;  Chen, YS 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Oxygen precipitates  Silicon  Ntd  Denuded zone   Photoluminescence properties of porous silicon based on fz(h) si wafer 期刊论文 Rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 38-+ 作者:  He, YJ;  Li, HX;  Guo, CH;  Liu, GR;  Chen, YS 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Porous silicon  Photoluminescence  Surface modification  Rapid thermal oxidation