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半导体研究所 [48]
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期刊论文 [45]
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Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Peng HW (Peng Haowei)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/12/27
IMPURITIES
GAAS1-XNX
NITROGEN
GAINNAS
STATES
TRAPS
Size distributions of quantum islands on stepped substrates
期刊论文
journal of chemical physics, 2009, 卷号: 131, 期号: 15, 页码: art.no.154704
Liang S (Liang, S.)
;
Zhu HL (Zhu, H. L.)
;
Wang W (Wang, W.)
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浏览/下载:305/92
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500
Zhu, BL
;
Sun, XH
;
Zha, XZ
;
Su, FH
;
Li, GH
;
Wu, XG
;
Wu, J
;
Wu, R
;
Liu, J
收藏
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浏览/下载:46/1
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提交时间:2010/03/08
PLD
ZnO films
substrate temperature
crystal quality
grain size
optical properties
High-density and narrow size-distribution InAs quantum dots formed by a modified two-step growth
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327
She-Song, H
;
Zhi-Chuan, N
;
Feng, Z
;
Hai-Qiao, N
;
Huan, Z
;
Dong-Hai, W
;
Zheng, S
收藏
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浏览/下载:42/3
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
quantum dots
a modified two-step growth
Spontaneous emission lifetime distribution of infinite line antennas in two-dimensional photonic crystals with finite size
期刊论文
Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 5, 页码: 3
作者:
Xu, Xingsheng
;
Wang, Yiquan
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Spontaneous emission lifetime distribution of infinite line antennas in two-dimensional photonic crystals with finite size
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 5, 页码: art.no.051911
Xu XS (Xu Xingsheng)
;
Wang YQ (Wang Yiquan)
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/03/29
QUANTUM DOTS
Growth of inas quantum dots on vicinal gaas (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties
期刊论文
Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484
作者:
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Pan, JQ
;
Ye, XL
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Bimodal size distribution
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/04/11
metamorphic
long wavelength
quantum dots
molecular beam epitaxy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
1.3 MU-M
GAAS
EMISSION
RANGE
ISLANDS
ARRAYS
LASERS
Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang W (Wang W.)
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
quantum dots
indium arsenide
1.3 MU-M
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE-EPITAXY
GAAS
LUMINESCENCE
SUBSTRATE
ISLANDS
DENSITY
LASERS
LAYER
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者:
Jin P
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
growth interruption
in segregation
surface oxide
molecular beam epitaxy
quantum dots
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYER
SHAPE
SIZE
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