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半导体研究所 [71]
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期刊论文 [71]
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The influence of the 1st aln and the 2nd gan layers on properties of algan/2nd aln/2nd gan/1st aln/1st gan structure
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi, Yang
;
Wang, XiaoLiang
;
Yang, CuiBai
;
Xiao, HongLing
;
Wang, CuiMei
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled gaas/alxga1-xas and inxga1-xas/gaas quantum dots
期刊论文
Physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: 4
作者:
Plumhof, J. D.
;
Krapek, V.
;
Ding, F.
;
Joens, K. D.
;
Hafenbrak, R.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Single neutral excitons confined in asbr3 in situ etched in gaas quantum rings
期刊论文
Journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57
作者:
Ding, F.
;
Li, B.
;
Akopian, N.
;
Perinetti, U.
;
Chen, Y. H.
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum ring
Quantum dot
Neutral exciton
Aharonov bohm effect
Gate controlled
Selective etching
Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots
期刊论文
physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.121302
Plumhof JD
;
Krapek V
;
Ding F
;
Jons KD
;
Hafenbrak R
;
Klenovsky P
;
Herklotz A
;
Dorr K
;
Michler P
;
Rastelli A
;
Schmidt OG
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浏览/下载:64/2
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提交时间:2011/07/05
ENTANGLED PHOTON PAIRS
SEMICONDUCTOR
SPIN
Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings
期刊论文
journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57
Ding F
;
Li B
;
Akopian N
;
Perinetti U
;
Chen YH
;
Peeters FM
;
Rastelli A
;
Zwiller V
;
Schmidt OG
收藏
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浏览/下载:71/5
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提交时间:2011/07/05
Quantum Ring
Quantum Dot
Neutral Exciton
Aharonov Bohm Effect
Gate Controlled
Selective Etching
ENERGY-SPECTRA
Design of waveguide integrated ge-quantum-well electro-absorption modulators
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 4
作者:
Zhao Hong-Wei
;
Hu Wei-Xuan
;
Xue Chun-Lai
;
Cheng Bu-Wen
;
Wang Qi-Ming
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Design of Waveguide Integrated Ge-Quantum-Well Electro-Absorption Modulators
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.14204
作者:
Xue CL
收藏
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浏览/下载:55/5
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提交时间:2011/07/05
SILICON
PHOTODETECTORS
SI
Monolithic integration of electroabsorption modulators and tunnel injection distributed feedback lasers using quantum well intermixing
期刊论文
Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 6
作者:
Wang Yang
;
Pan Jiao-Qing
;
Zhao Ling-Juan
;
Zhu Hong-Liang
;
Wang Wei
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Electroabsorption modulator
Tunnel injection
Wide temperature range operation
Quantum well intermixing
Tuning photoluminescence of single InAs quantum dot by electric field
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 6, 页码: 4279-4282
Chang XY (Chang Xiu-Ying)
;
Dou XM (Dou Xiu-Ming)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Xiong YH (Xiong Yong-Hua)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/07/05
single InAs quantum dot
Stark effect
electron-hole separation
Mode characteristics of metallically coated square microcavity connected with an output waveguide
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 11, 页码: art. no. 113103
Che KJ (Che Kai-Jun)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/07/05
finite difference time-domain analysis
microcavities
micro-optics
optical waveguides
Q-factor
reflectivity
refractive index
RESONATOR MICROLASERS
FDTD TECHNIQUE
EMISSION
FILTERS
CAVITY
LAYER
LASER
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