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半导体研究所 [37]
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专题:半导体研究所
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High-performance solar-blind ultraviolet photodetector based on electrospun TiO2-ZnTiO2 heterojunction nanowires
期刊论文
nano research, 2015, 卷号: 8, 期号: 9, 页码: 2822-2832
Haining Chong
;
Guodong Wei
;
Huilin Hou
;
Huijun Yang
;
Minghui Shang
;
Fengmei Gao
;
Weiyou Yang
;
Guozhen Shen
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2016/03/29
Back-illuminated 283 nm AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector
期刊论文
infrared and laser engineering, 2013, 卷号: 42, 期号: 4, 页码: 1011-1014
Wang, Xiaoyong
;
Chong, Ming
;
Zhao, Degang
;
Su, Yanmei
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/05/08
High response solar-blind ultraviolet photodetector based on Zr0.5Ti0.5O2 film
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 268, 页码: 312-316
Zhang, Min
;
Gu, Xuehui
;
Lv, Kaibo
;
Dong, Wei
;
Ruan, Shengping
;
Chen, Yu
;
Zhang, Haifeng
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/09/17
A new method to measure the carrier concentration of p-gan
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Zhou Mei
;
Zhao De-Gang
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
P-gan
Carrier concentration measurement
Ultraviolet photodetector
Quantum-dot-induced optical transition enhancement in InAs quantum-dot-embedded p-i-n GaAs solar cells
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113514
Shang XJ
;
He JF
;
Li MF
;
Zhan F
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Pettersson H
;
Fu Y
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
WELL INFRARED PHOTODETECTOR
PHOTOCURRENT
EFFICIENCY
A study on the spectral response of back-illuminated p-i-n AlGaN heterojunction ultraviolet photodetector
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 53701
Zhao DG
;
Zhang S
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/02/06
SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY
III-NITRIDES
Fabrication of246 nm back-illuminated AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector
期刊论文
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
Yan, Tingjing
;
Chong, Ming
;
Zhao, Degang
;
Zhang, Shuang
;
Chen, Lianghui
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/06/14
Alloying
Fabrication
Gallium
Heterojunctions
Optoelectronic devices
Pixels
A new method to measure the carrier concentration of p-GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: article no.37804
Zhou M
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:66/7
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提交时间:2011/07/05
p-GaN
carrier concentration measurement
ultraviolet photodetector
LASER-DIODES
FILMS
Effects of algan layer parameter on ultraviolet response of n(+)-gan/i-alxga1 (-) n-x/n(+)-gan structure ultraviolet-infrared photodetector
期刊论文
Acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:
Deng Yi
;
Zhao De-Gang
;
Wu Liang-Liang
;
Liu Zong-Shun
;
Zhu Jian-Jun
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Ultraviolet and infrared photodetector
Quantum efficiency
Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector
期刊论文
: journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 492, 期号: 1-2, 页码: 300-302
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
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浏览/下载:231/10
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提交时间:2010/04/13
Nitride materials
Photoconductivity and photovoltaics
Computer simulations
FILMS
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