CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共222条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Nanoscale triboelectrification gated transistor 期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 1054
作者:  Tianzhao Bu;   Liang Xu;   Zhiwei Yang;   Xiang Yang;   Guoxu Liu;   Yuanzhi Cao;   Chi Zhang ;   Zhong Lin Wang
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/11/05
Impact of channel length and width for charge transportation of graphene field effect transistor 期刊论文
Chinese Journal of Chemical Physics, 2020, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 757-763
作者:  Kamal Hosen;  Md. Rasidul Islam;   Kong Liu
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/05/21
Real-time detection of cardiac troponin I and mechanism analysis of AlGaAs/GaAs high electron mobility transistor biosensor 期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 115205
作者:  Jiaming Luo;   Sufang Li;   Mengke Xu;   Min Guan;   Mengxi Yang;   Jingyi Ren;   Yang Zhang;   Yiping Zeng
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/05/21
Hybrid-gate structure designed for high-performance normally-off p-GaN high-electron-mobility transistor 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 111001
作者:  Di Niu;   Quan Wang;   Wei Li;   Changxi Chen;   Jiankai Xu;   Lijuan Jiang;   Chun Feng;   Hongling Xiao;   Qian Wang;   Xiangang Xu;   Xiaoliang Wang
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/05/24
GeSn/GeSiSn double-heterojunction short channel tunnel field-effect transistor design 期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 034001
作者:  Suyuan Wang ;   Qiang Wu ;   Jun Zheng ;   Bin Zhang ;   Jianghong Yao ;   Qingjun Zhou ;   Li Yang ;   Jingjun Xu ;   Buwen Cheng
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/11/05
Single-electron transport through single and coupling dopant atoms in silicon junctionless nanowire transistor 期刊论文
Chin. Phys. B, 2019, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 127302
作者:  Xiao-Di Zhang ;   Wei-Hua Han ;   Wen Liu ;   Xiao-Song Zhao ;   Yang-Yan Guo ;   Chong Yang ;   Jun-Dong Chen ;   Fu-Hua Yang
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/08/05
Temperature-dependent subband mobility characteristics in n-doped silicon junctionless nanowire transistor 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 066804
作者:  Ya-Mei Dou ;   Wei-Hua Han ;   Yang-Yan Guo ;   Xiao-Song Zhao ;   Xiao-Di Zhang ;   Xin-Yu Wu ;   Fu-Hua Yang
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/08/05
Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure 期刊论文
Electronics, 2019, 卷号: 8, 页码: 241
作者:  Huolin Huang ;   Feiyu Li ;   Zhonghao Sun ;   Nan Sun ;   Feng Zhang ;   Yaqing Cao ;  Hui Zhang Pengcheng Tao
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/07/30
Quantum transport relating to impurity quantum dots in silicon nanostructure transistor 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2019, 卷号: 68, 期号: 8, 页码:  087301
作者:  Wu Xin-Yu;  Han Wei-Hua;  Yang Fu-Hua
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/08/05
AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistor With Selective-Area Grown Emitter and Improved Base Contact 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 3, 页码: 1197-1201
作者:  Lian Zhang ;   Zhe Cheng;   Jianping Zeng ;   Hongxi Lu;   Lifang Jia;   Yujie Ai;   Yun Zhang
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/07/31

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace