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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of algan barrier layer in strained algan/gan heterostructures 期刊论文 Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 17, 页码: 3 作者:  Zhao, Jianzhi;  Lin, Zhaojun;  Corrigan, Timothy D.;  Wang, Zhen;  You, Zhidong 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 17, 页码: art.no.173507 Zhao J (Zhao, Jianzhi); Lin Z (Lin, Zhaojun); Corrigan TD (Corrigan, Timothy D.); Wang Z (Wang, Zhen); You Z (You, Zhidong); Wang Z (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/03/29 FIELD-EFFECT TRANSISTORS