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半导体研究所 [107]
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期刊论文 [105]
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发表日期
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专题:半导体研究所
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19μm quantum cascade infrared photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 191120 - 191120-4
作者:
Zhai, Shen-Qiang
;
Liu, Jun-Qi
;
Wang, Xue-Jiao
;
Zhuo, Ning
;
Liu, Feng-Qi
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/02/12
Aluminium Compounds
Gallium Compounds
Iii-v Semiconductors
Indium Compounds
Infrared Detectors
Leakage Currents
Photodetectors
Photodetectors
Bolometers
Infrared Submillimeter Wave microWave And radioWave Receivers And Detectors
Chemical trends of magnetic interaction in Mn-doped III-V semiconductors
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 12, 页码: 122409
Peng, Haowei
;
Li, Jingbo
;
Wei, Su-Huai
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/17
Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Qiao, Y. B.
;
Feng, S. W.
;
Xiong, C.
;
Wang, X. W.
;
Ma, X. Y.
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Carrier density
Cathodoluminescence
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Optical hole burning
Optical microscopy
Quantum well lasers
Semiconductor epitaxial layers
X-ray diffraction
Metal electrode influence on the wet selective etching of gaas/algaas
期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 4
作者:
Wang Jie
;
Han Qin
;
Yang Xiao-Hong
;
Wang Xiu-Ping
;
Ni Hai-Qiao
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浏览/下载:120/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Chromium alloys
Copper alloys
Electrochemical analysis
Electrochemical electrodes
Etching
Gallium arsenide
Gold alloys
Iii-v semiconductors
Metallic thin films
Titanium alloys
Fabrication of ferromagnetic gamnsb by thermal diffusion of evaporated mn
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
作者:
Yang, Guandong
;
Zhu, Feng
;
Dong, Shan
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting iii-v materials
Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD
;
Zhu F
;
Dong S
收藏
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浏览/下载:70/2
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提交时间:2011/07/05
Diffusion
Physical vapor deposition processes
Magnetic materials
Semiconducting III-V materials
GASB/MN DIGITAL ALLOYS
ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
RAMAN-SCATTERING
MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES
EPITAXIAL LAYERS
THIN-FILMS
SEMICONDUCTORS
STRAIN
MAGNETOELECTRONICS
SPINTRONICS
Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 41208
Wang J
;
Han Q
;
Yang XH
;
Wang XP
;
Ni HQ
;
He JF
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
HYDROGEN-PEROXIDE SOLUTIONS
III-V SEMICONDUCTORS
PSEUDOMORPHIC MODFETS
GAAS
FABRICATION
TRANSISTOR
ALGAAS
Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face iii-nitride structure
期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 3
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Yan, J. C.
;
Wang, J. X.
;
Zeng, Y. P.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Electron gas
Gallium compounds
Iii-v semiconductors
Mocvd
Polarisation
Semiconductor doping
Semiconductor thin films
Wide band gap semiconductors
Delay of the excited state lasing of 1310 nm inas/gaas quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: 3
作者:
Cao, Yu-Lian
;
Yang, Tao
;
Xu, Peng-Fei
;
Ji, Hai-Ming
;
Gu, Yong-Xian
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Excited states
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Indium compounds
Laser tuning
Optical films
Quantum dot lasers
Silicon compounds
Tantalum compounds
Self-heating effect in 1.3 mu m p-doped inas/gaas quantum dot vertical cavity surface emitting lasers
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 6, 页码: 6
作者:
Xu, D. W.
;
Tong, C. Z.
;
Yoon, S. F.
;
Zhao, L. J.
;
Ding, Y.
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Indium compounds
Quantum dot lasers
Surface emitting lasers
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