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半导体研究所 [8]
内容类型
学位论文 [5]
期刊论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2015 [1]
2011 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体材料 [5]
材料物理与化学 [1]
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GaN基材料生长与发光器件基础问题研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
乐伶聪
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浏览/下载：16/0
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提交时间：2015/11/30
Si衬底上GaN基材料MOCVD生长及HEMT性能分析
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
魏萌
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浏览/下载：63/7
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提交时间：2011/06/10
掺稀土半导体光电特性和应用
期刊论文
中国稀土学报, 2002, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 521-525
陈维德
;
陈长勇
;
宋淑芳
;
许振嘉
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浏览/下载：7/0
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提交时间：2010/11/23
半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介
期刊论文
物理, 2001, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 413
孙殿照
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2010/11/23
GaN基材料的光学及电学性质研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
阎华
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浏览/下载：81/7
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提交时间：2009/04/13
GaN基材料的生长、结构性能及光电性质研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
孙小玲
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浏览/下载：72/12
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提交时间：2009/04/13
GaN基材料的生长及蓝光LED的研制
学位论文
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1998
刘祥林
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浏览/下载：43/1
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提交时间：2009/04/13
Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
冉军学
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王晓亮
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李建平
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胡国新
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肖红领
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王翠梅
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杨翠柏
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李晋闽
收藏
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浏览/下载：9/0
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提交时间：2011/08/31
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