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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The contributions of composition and strain to the phonon shift in ge1-xsnx alloys 期刊论文 Solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 作者:  Su, Shaojian;  Wang, Wei;  Cheng, Buwen;  Hu, Weixuan;  Zhang, Guangze 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductors  Raman scattering   Epitaxial growth and thermal stability of ge(1-x)sn(x) alloys on ge-buffered si(001) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 作者:  Su, Shaojian;  Wang, Wei;  Cheng, Buwen;  Zhang, Guangze;  Hu, Weixuan 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium   Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Su Shao-Jian;  Wang Wei;  Zhang Guang-Ze;  Hu Wei-Xuan;  Bai An-Qi 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn  Ge  Molecular beam epitaxy  Epitaxial growth   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：72/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1   The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 8, 页码: 647-650 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Hu WX; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 Semiconductors  Raman scattering  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  RAMAN FREQUENCIES  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1  SILICON  SCATTERING  GROWTH   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：57/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1