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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in czochralski silicon single crystal growth 期刊论文 Microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 作者:  Zhang, ZC;  Ren, BY;  Chen, YH;  Yang, SY;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Czochralski method  Growth from melt  Semiconductor silicon  Argon gas flow  Computer simulation  Oxygen content   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 期刊论文 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE