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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study 期刊论文 nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：165/21  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SILICON-CARBIDE NANOTUBES  FORMATION ENERGIES  CARBON NANOTUBES  BORON-NITRIDE  NANOWIRES  COMPOSITES  DEFECTS  FUSION   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   The effects of pre-irradiation on the formation of Si1-xCx alloys 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329-1333 Wang YS; Li JM; Wang YB; Wang YT; Sun GS; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：83/9  |  提交时间：2010/08/12 ion implantation  solid phase epitaxy  Si1-xCx alloy  SI  IMPLANTATION  CARBON   Semi-insulating GaAs grown in outer space 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY   Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Relationship between deep-level centers and stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide 期刊论文 journal of applied physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 10, 页码: 5826-5827 Lin LY; Chen NF; Zhong XR; He HJ; Li CJ 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMIINSULATING GAAS  LEC-GAAS  DEFECTS  SEGREGATION  CARBON  BORON