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半导体研究所 [25]
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Effects of algan/aln stacked interlayers on gan growth on si (111)
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 3
作者:
Wang Hui
;
Liang Hu
;
Wang Yong
;
Ng Kar-Wei
;
Deng Dong-Mei
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111)
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103
Wang H (Wang Hui)
;
Liang H (Liang Hu)
;
Wang Y (Wang Yong)
;
Ng KW (Ng Kar-Wei)
;
Deng DM (Deng Dong-Mei)
;
Lau KM (Lau Kei-May)
收藏
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浏览/下载:96/3
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提交时间:2010/04/22
VAPOR-PHASE EPITAXY
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
CRACK-FREE GAN
STRESS-CONTROL
SI(111)
DEPOSITION
REDUCTION
THICKNESS
NITRIDE
LAYERS
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
The influence of aln/gan superlattice intermediate layer on the properties of gan grown on si(111) substrates
期刊论文
Chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 1467-1471
作者:
Liu Zhe
;
Wang Xiao-Liang
;
Wang Jun-Xi
;
Hu Guo-Xin
;
Guo Lun-Chun
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Si substrate
Metalorganic chemical vapour deposition
Superlattice buffer
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m ingaas quantum well lasers on gaas by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 971-974
作者:
Tangring, I.
;
Wang, S. M.
;
Sadeghi, M.
;
Larsson, A.
;
Wang, X. D.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Metamorphic growth
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Laser diodes
Effects of buffer layers on the stress and morphology of GaN epilayer grown on Si substrate by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 281-283
Liu Z (Liu Zhe)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Guo LC (Guo Lunchun)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/29
characterization
The influence of AlN/GaN superlattice intermediate layer on the properties of GaN grown on Si(111) substrates
期刊论文
chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 1467-1471
Liu Z (Liu Zhe)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Wang JX (Wang Jun-Xi)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Guo LC (Guo Lun-Chun)
;
Li JM (Li Jin-Min)
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
Effects of buffer layers on the stress and morphology of gan epilayer grown on si substrate by mocvd
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298, 页码: 281-283
作者:
Liu, Zhe
;
Wang, Xiaoliang
;
Wang, Junxi
;
Hu, Guoxin
;
Guo, Lunchun
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Characterization
Crystal morphology
Interfaces
Metalorganic chemical vapor deposition
Superlattices
Nitrides
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
收藏
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浏览/下载:224/60
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提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
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