CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共53条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Temperature compensation for threshold current and slope efficiency of 1.3 mu m inas/gaas quantum-dot lasers by facet coating design 期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 3
作者:  Xu Peng-Fei;  Yang Tao;  Ji Hai-Ming;  Cao Yu-Lian;  Gu Yong-Xian
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
1.3-mu m in(ga)as quantum-dot vcsels fabricated by dielectric-free approach with surface-relief process 期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
作者:  Xu, D. W.;  Yoon, S. F.;  Ding, Y.;  Tong, C. Z.;  Fan, W. J.
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12
Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design 期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:  Cao YL;  Yang T
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/07/05
1.3-mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process 期刊论文
ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
Xu DW; Yoon SF; Ding Y; Tong CZ; Fan WJ; Zhao LJ
收藏  |  浏览/下载：100/2  |  提交时间：2011/07/05
The characteristic of the stero-coupling high-q photonic crystal slab cavity 期刊论文
Acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8548-8553
作者:  Jiang Bin;  Liu An-Jin;  Chen Wei;  Xing Ming-Xin;  Zhou Wen-Jun
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12
Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102
Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Jia CH (Jia C. H.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/12/12
The characteristic of the stero-coupling high-Q photonic crystal slab cavity 期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8548-8553
作者:  Jiang B
收藏  |  浏览/下载：83/7  |  提交时间：2011/07/06
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar gan on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Huo, Z. Q.
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12
Silicon nanopore array structure using porous anodic alumina 期刊论文
Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 4997-5001
作者:  Bai An-Qi;  Hu Di;  Ding Wu-Chang;  Su Shao-Jian;  Hu Wei-Xuan
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace