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半导体研究所 [147]
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Enhanced Carrier Concentration and Electronic Transport by Inserting Graphene into van der Waals Heterostructures of Transition-Metal Dichalcogenides
期刊论文
Physical Review Applied, 2018, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 024028
作者:
Congxin Xia
;
Wenqi Xiong
;
Wenbo Xiao
;
Juan Du
;
Lizhen Fang
;
Jingbo Li
;
Yu Jia
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/11/15
Enhancing the performance of blue GaN-based light emitting diodes with carrier concentration adjusting layer
期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 035312
Yao Guo
;
Zhiqiang Liu
;
Yang Huang
;
Xiaoyan Yi
;
Junxi Wang
;
Guohong Wang
;
Jinmin Li
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2017/03/16
Influence of electron distribution on efficiency droop for gan-based light emitting diodes
期刊论文
Journal of solid state lighting, 2015, 卷号: 2, 期号: 1
作者:
Fu,Jiajia
;
Zhao,Lixia
;
Zhang,Ning
;
Wang,Junxi
;
Li,Jinmin
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan quantum barriers
Electron distribution
Carrier recombination
Efficiency droop
Can interference patterns in the reflectance spectra of GaN epilayers give important information of carrier concentration?
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 19, 页码: 191102
Zheng CC (Zheng, C. C.)
;
Xu SJ (Xu, S. J.)
;
Zhang F (Zhang, F.)
;
Ning JQ (Ning, J. Q.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Yang H (Yang, H.)
;
Che CM (Che, C. M.)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/03/27
Intrinsic evolutions of optical functions, band gap, and higher-energy electronic transitions in vo2 film near the metal-insulator transition region
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 24, 页码: 3
作者:
Li, W. W.
;
Yu, Q.
;
Liang, J. R.
;
Jiang, K.
;
Hu, Z. G.
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Stability of the positively charged manganese centre in gaas heterostructures examined theoretically by the effective mass approximation calculation near the gamma critical point
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 8
作者:
Wang Li-Guo
;
Shen Chao
;
Zheng Hou-Zhi
;
Zhu Hui
;
Zhao Jian-Hua
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Charged acceptor centre
Screening effect
Exchange interaction
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7
作者:
Li, Tianfeng
;
Chen, Yonghai
;
Lei, Wen
;
Zhou, Xiaolong
;
Luo, Shuai
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Characteristics of undoped and sb-doped zno thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition
期刊论文
Physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
作者:
Zhu, B. L.
;
Zhu, S. J.
;
Zhao, X. Z.
;
Su, F. H.
;
Li, G. H.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Conductivity
Doping
Photoluminescence
Pulsed laser deposition
Zno
Determination of the transport properties in 4h-sic wafers by raman scattering measurement
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Sun Guo-Sheng
;
Liu Xing-Fang
;
Wu Hai-Lei
;
Yan Guo-Guo
;
Dong Lin
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
4h-sic
Raman scattering
Lopc modes
Transport properties
A new method to measure the carrier concentration of p-gan
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 8
作者:
Zhou Mei
;
Zhao De-Gang
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
P-gan
Carrier concentration measurement
Ultraviolet photodetector
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