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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2002 [1]
2000 [1]
1999 [2]
1991 [1]
1990 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/10/29
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
FLOATING-ZONE GROWTH
CRYSTAL-GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
SEGREGATION
STOICHIOMETRY
SILICON
DEFECTS
INSB
Hydrogen catalyzed oxygen precipitation in crystalline silicon
期刊论文
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 105-108
作者:
Li, HX
;
Xue, CS
;
Chen, LS
;
Zhou, W
;
Liu, GR
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Oxygen precipitation
Hydrogen catalysis
Silicon
Study on the oxygen concentration reduction in heavily sb-doped silicon
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 196, 期号: 1, 页码: 111-114
作者:
Liu, CC
;
Wang, HM
;
Li, YX
;
Wang, QL
;
Ren, BY
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浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Heavily sb-doped silicon
Oxygen concentration
Thermodynamic calculation
Oxygen solubility
Lattice strain
Study on the oxygen concentration reduction in heavily Sb-doped silicon
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 196, 期号: 1, 页码: 111-114
Liu CC
;
Wang HM
;
Li YX
;
Wang QL
;
Ren BY
;
Xu YS
;
Que DL
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浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2010/08/12
heavily Sb-doped silicon
oxygen concentration
thermodynamic calculation
oxygen solubility
lattice strain
ELECTRICAL CHARACTERS OF OXYGEN DEFECTS IN SILICON SUBJECTED TO INTRINSIC GETTERING TREATMENT
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 1, 页码: 511-513
LI JM
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
CZOCHRALSKI-GROWN SILICON
MICRODEFECTS
DISLOCATIONS
BEHAVIOR
WAFERS
A NOVEL MODEL OF NEW DONORS IN CZOCHRALSKI-GROWN SILICON
期刊论文
journal of applied physics, 1990, 卷号: 68, 期号: 3, 页码: 954-957
QIAN JJ
;
WANG ZG
;
WAN SK
;
LIN LY
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浏览/下载:528/382
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提交时间:2010/11/15
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