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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type gan 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Hou, Qifeng;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：47/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   Carrier transport assisted by dopants in doped poly(n-vinylcarbozole) light-emitting diodes 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1007-1011 作者:  Chen, XH;  Liu, M;  Xu, Z;  Hou, YB;  Teng, F 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Carrier transport assisted by dopants in doped poly(N-vinylcarbozole) light-emitting diodes 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1007-1011 Chen, XH; Liu, M; Xu, Z; Hou, YB; Teng, F; Xu, XR 收藏  |  浏览/下载：317/62  |  提交时间：2010/03/09 TRANSIENT ELECTROLUMINESCENCE   Self-consistent calculation of electronic states in asymmetric double barrier structure 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 1995, 卷号: 35, 期号: 0, 页码: 367-371 Song AM; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/17 electron states  RESONANT-TUNNELING STRUCTURE  SPACE-CHARGE BUILDUP  INTRINSIC BISTABILITY  PHONON-EMISSION  DEVICES  DIODE