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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-plane optical anisotropy in gaasn/gaas single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy 期刊论文 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Ye, X. L.;  Jiang, C. Y.;  Jia, C. H. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: art. no. 013516 Yu JL (Yu J. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Ye XL (Ye X. L.); Jiang CY (Jiang C. Y.); Jia CH (Jia C. H.) 收藏  |  浏览/下载：293/18  |  提交时间：2010/08/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN RELAXATION  GROWTH TEMPERATURE  INTERFACE  ALLOYS  GAAS  HETEROSTRUCTURES  MICROSTRUCTURE  GANXAS1-X  NITROGEN   Anisotropic strain relaxation of thin fe film on c(4 x 4) reconstructed gaas (001) surface 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Lu, J.;  Xu, P. F.;  Zhu, Y. G.;  Meng, H. J.;  Chen, L. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Fe thin film  Anisotropic strain relaxation  Magnetic anisotropy  X-ray diffraction   Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Chen L;  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/04 Fe thin film  Anisotropic strain relaxation  Magnetic anisotropy  X-ray diffraction  UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS(001)  DEVICES   Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an inas film on a gaas(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal x-ray diffraction 期刊论文 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 作者:  Wang, HM;  Zeng, YP;  Zhou, HW;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630 Wang HM; Zeng YP; Zhou HW; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HALL ELEMENTS  GAAS  MISORIENTATION  DISTORTION  LAYERS  MBE  SI  HETEROSTRUCTURES  GROWTH