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Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105
作者:  Yang, J.;   Wang, B. B.;   Zhao, D. G.;   Liu, Z. S.;   Liang, F.;   Chen, P.;   Zhang, Y. H.;   Zhang, Z. Z.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2022/03/24
蓝宝石衬底上AlGaN_GaN二维电子气结构的剥离研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  郭芬
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/03
Experimental and theoretical study on device-processing-incorporated fluorine in AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 6, 页码: 065122
作者:  Jianxing Xu;   Xiaodong Tong;   Shiyong Zhang;   Zhe Cheng;   Lian Zhang;   Penghui Zheng;   Feng-Xiang Chen;   Rong Wang;   Yun Zhang;   Wei Tan
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2021/06/16
Light Extraction and Auger Recombination in AlGaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes 期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2020, 卷号: 32, 期号: 16, 页码: 971-974
作者:  Ruxue Ni ;   Zhiguo Yu;   Zhe Liu;   Lian Zhang ;   Lifang Jia;   Yun Zhang
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/06/22
Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 095024
作者:  Fen Guo;   Quan Wang;   Hongling Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li;   Chun Feng;   Xiaoliang Wang;  Zhanguo Wang
收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2021/05/25
The influence of point defects on AlGaN-based deep ultraviolet LEDs 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2020, 卷号: 845, 页码: 156177
作者:  Zhanhong Ma ;  Abdulaziz Almalki ;  Xin Yang ;  Xing Wu ;  Xin Xi ;  Jing Li ;  Shan Lin ;  Xiaodong Li ;  Saud Alotaibi ;  Maryam Al huwayz ;  Mohamed Henini ;  Lixia Zhao
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/05/21
Fabrication of high quantum efficiency p-i-n AlGaN detector and optimization of p-layer and i-layer thickness 期刊论文
MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2020, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: 115902
作者:  Zikun Cao;   Degang Zhao;   Feng Liang;   Zongshun Liu
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/05/24
The Influence of Anode Trench Geometries on Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes 期刊论文
ELECTRONICS, 2020, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 282
作者:  Xiuxia Yang;  Zhe Cheng;  Zhiguo Yu;  Lifang Jia;  Lian Zhang;  Yun Zhang
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/11/26
Subquantum-Well Influence on Carrier Dynamics in High Efficiency DUV Dislocation-Free AlGaN/AlGaN-Based Multiple Quantum Wells 期刊论文
ACS PHOTONICS, 2020, 卷号: 7, 期号: 7, 页码: 1667-1675
作者:  Idris A. Ajia;   Dhiafallah Almalawi;   Yi Lu;   Sergei Lopatin;   Xiaohang Li;   Zhiqiang Liu;   Iman S. Roqan
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2021/06/28
Deep-ultraviolet aperiodic-oscillation emission of AlGaN films 期刊论文
OPTICS LETTERS, 2020, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1719-1721
作者:  Yanming Zhu;   Wei Zheng;   Junxue Ran;   Feng Huang
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/12/16

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