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半导体研究所 [27]
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Evaluation of thermal radiation dependent performance of gasb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model
期刊论文
Solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710
作者:
Wang, Y.
;
Chen, N. F.
;
Zhang, X. W.
;
Huang, T. M.
;
Yin, Z. G.
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提交时间:2019/05/12
Thermophotovoltaic
Gallium antimonide
Absorption coefficient
Evaluating 0.53 ev gainassb thermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 8
作者:
Wang, Y.
;
Chen, N. F.
;
Zhang, X. W.
;
Huang, T. M.
;
Yin, Z. G.
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Bai YM (Bai Y. M.)
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浏览/下载:171/19
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提交时间:2010/09/20
OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION
DISPERSION-RELATIONS
CARRIER MOBILITIES
PHASE EPITAXY
DOPED GAAS
DEVICES
GASB
INP
ALXGA1-XAS
INGAASSB
Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Wang YS (Wang Y. S.)
;
Zhang H (Zhang H.)
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浏览/下载:190/22
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提交时间:2010/09/07
Thermophotovoltaic
Gallium antimonide
Absorption coefficient
A new p-n structure ultraviolet photodetector with p(-)-gan active region
期刊论文
Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7255-7260
作者:
Zhou Mei
;
Zhao De-Gang
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
P menus type gan
Ultraviolet photodetector
Quantum efficiency
A new p-n structure ultraviolet photodetector with p(-)-GaN active region
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7255-7260
Zhou M (Zhou Mei)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
收藏
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浏览/下载:188/83
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提交时间:2010/03/08
p menus type GaN
A Planar InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiode with Cascade Edge Breakdown Suppression
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1686-1691
作者:
Wu Meng
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/23
Spatial variation of optical and structural properties of elo gan directly grown on patterned sapphire by hvpe
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885
作者:
Wei, T. B.
;
Duan, R. F.
;
Wang, J. X.
;
Li, J. M.
;
Huo, Z. Q.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Spatial variation of optical and structural properties of ELO GaN directly grown on patterned sapphire by HVPE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885
作者:
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
Optical analysis of AlGaInP laser diodes with real refractive index guided self-aligned structure
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003
Xu Y
;
Zhu XP
;
Ye XJ
;
Kang XN
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
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浏览/下载:17/1
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提交时间:2010/10/29
finite-difference methods
AlGaInP laser diodes
RISA
OPERATION
LAYER
NM
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