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以太网通信中AES加解密算法的实现 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
吴琼
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/06/05
Reconstruction of GaAs/AlAs supperlattice multilayer structure by quantification of AES and SIMS sputter depth profiles 期刊论文
applied surface science, 2016, 卷号: 388, 页码: 584-588
H.L. Kang; J.B. Lao; Z.P. Li; W.Q. Yao; C. Liu; J.Y. Wang
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/10
EPON下行传输中的AES加密方案研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
凌安平
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/06/02
Thermal diffusion of nitrogen into zno film deposited on inn/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 4
作者:  Shi, K.;  Zhang, P. F.;  Wei, H. Y.;  Jiao, C. M.;  Jin, P.
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12
Intercalation of Few-Layer Graphite Flakes with FeCl3: Raman Determination of Fermi Level, Layer by Layer Decoupling, and Stability 期刊论文
journal of the american chemical society, 2011, 卷号: 133, 期号: 15, 页码: 5941-5946
作者:  Liu J;  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：90/4  |  提交时间：2011/07/05
Study on Optical Properties of Type-II SnO2/ZnS Core/Shell Nanowires 期刊论文
journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 15, 页码: 7225-7229
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：37/2  |  提交时间：2011/07/05
Localized flexible integration of high-efficiency surface enhanced Raman scattering (SERS) monitors into microfluidic channels 期刊论文
lab on a chip, 2011, 卷号: 11, 期号: 19, 页码: 3347-3351
Xu, BB; Ma, ZC; Wang, L; Zhang, R; Niu, LG; Yang, Z; Zhang, YL; Zheng, WH; Zhao, B; Xu, Y; Chen, QD; Xia, H; Sun, HB
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/02/06
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates 期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463
Li, TF; Chen, YH; Lei, W; Zhou, XL; Luo, S; Hu, YZ; Wang, LJ; Yang, T; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06
High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section 期刊论文
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191-
Wang, ZC; Jin, P; Lv, XQ; Li, XK; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06
The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing 期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914
作者:  Jin P;  Ye XL;  Zhou XL
收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2011/07/05

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