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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 铁磁/n型GaAs量子阱界面增强的铁磁近邻极化及其自旋动力学 学位论文 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者:  纪晓晨 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/11/03 铁磁近邻效应  Rashba效应  铁磁/n型gaas量子阱结  自旋电子学  磁光克尔效应   HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 庞蜜 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2014/05/28 HgTe/CdTe 量子阱  InAs/GaSb超晶格  InAs/GaSb耦合量子阱  二维拓扑绝缘体  窄禁带半导体  电子态结构  磁光吸收谱   中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著 北京:化学工业出版社, 北京, 2006 王占国; 陈立泉; 屠海令 收藏  |  浏览/下载：176/0  |  提交时间：2009/09/19 一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010277684.1, 公开日期: 2011-08-31 张冶金; 郑婉华; 渠红伟; 邢名欣; 陈良惠 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/08/31