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基于SiGe HBT宽带低噪声放大器的设计及实现 学位论文
: 西安理工大学, 2019
作者:  高保宁
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Design of 1.6-2.4 GHz Low Noise Amplifier Based on SiGe HBT 会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:  Liu, Jing;  Gao, Bao Ning
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20
An S- to Ku-wideband low-noise amplifier using asymmetric pi filter and shunt-peaking technique with simultaneous input match and noise flatness 期刊论文
2019, 卷号: 61, 页码: 1509-1516
作者:  Jing, Kai;  Yu, Ningmei;  Quan, Xing
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/20
新型集电区场板结构SiGe HBT器件特性与机理研究 学位论文
: 西安理工大学, 2018
作者:  杨腾远
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A 2nd-order CTLE in 130nm SiGe BiCMOS for a 50GBaud PAM4 Optical Driver 会议论文
PROCEEDINGS OF 2018 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUITS, TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS (ICTA 2018), 2018-01-01
作者:  He, Jian;  Qi, Nan;  Yu, Ningmei;  Wu, Liji;  Chiang, Patrick Yin
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/20
Improving ESD Protection Robustness Using SiGe Source/Drain Regions in Tunnel FET 期刊论文
2018, 卷号: 9
作者:  Yang, Zhaonian;  Yang, Yuan;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J.
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20
Design of High Performance Si/SiGe Heterojunction Tunneling FETs with a T-Shaped Gate 期刊论文
2017, 卷号: 12, 页码: 198
作者:  Li, Wei;  Liu, Hongxia;  Wang, Shulong;  Chen, Shupeng;  Yang, Zhaonian
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20
一种多指发射极SiGe HBT器件 专利
申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-02-23
作者:  刘静;  杨腾远
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SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析 期刊论文
2016, 卷号: 32, 页码: 443-448
作者:  冯松;  高勇
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SiGe异质结双极型晶体管新结构研究 学位论文
: 西安理工大学, 2015
作者:  武瑜
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