QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共21条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of Total-Ionizing Dose Effects on the Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide Field-Effect Transistors 期刊论文 IEEE Access, 2019, 卷号: Vol.7, 页码: 79989-79996 作者:  Shuyun Zheng;  Yun Zeng;  Zhuojun Chen 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/13 Field effect transistors  Semiconductor device modeling  Degradation  Electric potential  Logic gates  Molybdenum  Transition metal dichalcogenide (TMD)  field-effect transistor (FET)  total ionizing dose (TID)  surface potential  compact model   Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors 期刊论文 Microelectronics Journal, 2019 作者:  L.F. Deng;  C.M. Si;  H.Q. Huang;  J. Wang;  H. Wen 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/13 Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors 期刊论文 Microelectronics Journal, 2019, 卷号: Vol.88, 页码: 61-66 作者:  Deng, L.F.;  Si, C.M.;  Huang, H.Q.;  Wang, J.;  Wen, H. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/13 Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors 期刊论文 Microelectronics Journal, 2019, 卷号: Vol.88, 页码: 61-66 作者:  L.F. Deng;  C.M. Si;  H.Q. Huang;  J. Wang;  H. Wen 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13 Epitaxial Growth of Two-Dimensional Metal–Semiconductor Transition-Metal Dichalcogenide Vertical Stacks and Their Band Alignments 期刊论文 ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 885-893 作者:  Zhepeng Zhang;  Yue Gong;  Xiaolong Zou;  Porun Liu;  Pengfei Yang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/17 chemical  vapor  deposition  metal−semiconductor  vertical  stacks  transition-metal  dichalcogenides  VSe2  WSe2   In‐Plane Anisotropic Thermal Conductivity of Few‐Layered Transition Metal Dichalcogenide Td‐WTe 期刊论文 Advanced Materials, 2019, 卷号: Vol.31 No.7 作者:  Yu Chen;  Bo Peng;  Chunxiao Cong;  Jingzhi Shang;  Lishu Wu 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/17 2D  transition‐metal  dichalcogenides  in‐plane  anisotropy  mean  free  paths  suspended  Td‐WTe2  thermal  conductivity   Epitaxial Growth of Two-Dimensional Metal-Semiconductor Transition-Metal Dichalcogenide Vertical Stacks and Their Band Alignments 期刊论文 ACS NANO, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 885-893 作者:  Zhang, Zhepeng;  Gong, Yue;  Zou, Xiaolong;  Liu, Porun;  Yang, Pengfei 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/17 transition-metal dichalcogenides  chemical vapor deposition  metal-semiconductor vertical stacks  VSe2  WSe2   Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors 期刊论文 MICROELECTRONICS JOURNAL, 2019, 卷号: Vol.88, 页码: 61-66 作者:  Deng, LF;  Si, CM;  Huang, HQ;  Wang, J;  Wen, H 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Explicit model  I-V model  2D field-effect transistor  Transition metal dichalcogenide (TMD)  Molybdenum disulphide (MoS2)  Molybdenum diselenide (MoSe2)   Investigation of Total-Ionizing Dose Effects on the Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide Field-Effect Transistors 期刊论文 IEEE ACCESS, 2019, 卷号: Vol.7, 页码: 79989-79996 作者:  Zheng, SY;  Zeng, Y;  Chen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/17 Transition metal dichalcogenide (TMD)  field-effect transistor (FET)  total ionizing dose (TID)  surface potential  compact model   Width-dependent phase crossover in transition metal dichalcogenide nanoribbons 期刊论文 Nanotechnology, 2019, 卷号: Vol.30 No.7, 页码: 075701 作者:  Wenyan Zan;  Zhuhua Zhang;  Yang Yang;  Xiaojun Yao;  Sidian Li and Boris I Yakobson 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13