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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced ultraviolet photoresponse in a graphene-gated ultra-thin Si-based photodiode. 期刊论文 Journal of Physics: D Applied Physics, 2019, 卷号: Vol.52 No.24, 页码: 1 作者:  Li, GL;  Andre, N;  Huet, B;  Delhaye, T;  Reckinger, N 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/13 Enhanced ultraviolet photoresponse in a graphene-gated ultra-thin Si-based photodiode 期刊论文 Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 卷号: Vol.52 No.24, 页码: 245101 作者:  Guoli Li;  Nicolas André;  Benjamin Huet;  Thibault Delhaye;  Nicolas Reckinger 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13 Studies on the application of n-InGaZnO/p-Si heterojunctions in active pixel sensor as photodiode 期刊论文 JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 2014, 卷号: Vol.16 No.7-8, 页码: 919-924 作者:  Zhang, GL;  Zeng, Y;  Yan, YM;  Leng, YQ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 The current-voltage characteristics of n-InGaZnO/p-Si heterojunctions photodiode 期刊论文 OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2011, 卷号: Vol.5 No.9, 页码: 1011-1016 作者:  Zhang, GL;  Zeng, Y;  Yan, YM;  Leng, YQ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/05 Photodiode  RF magnetron sputtering  Photoelectric effect  Interface state