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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Relaxation of compressive strain by inclining threading dislocations in Al0.45Ga0.55N epilayer grown on AlN/sapphire templates using graded-AlxGa1-xN/AlN multi-buffer layers 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 42, 期号: 3 作者:  Liu, C. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05