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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of the strain of GaN films grown on MOCVD-GaN/Al_2O_3 and MOCVD-GaN/SiC samples by HVPE growth 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2011, 卷号: 334, 期号: 1, 页码: 62-66 作者:  Lei Zhang;  Yongliang Shao;  Xiaopeng Hao;  Yongzhong Wu;  Shuang Qu 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/23 A1. stresses  A3. hydride vapor phase epitaxy  B1. gallium compounds  B1. nitrides  B2. semiconducting iii-v materials   Diffusion interaction between magnesium and zinc in 650 nm laser diodes wafer 期刊论文 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 8-11, 页码: 1598-1601 作者:  Ma, Deying;  Xia, Wei;  Li, Shuqiang;  Xua, Xiangang;  Zhang, Xin 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 Diffusion  Laser epitaxy  Semiconducting III-V materials  Laser diodes   A facile route to prepare boron nitride hollow particles at 450 degrees C 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009, 卷号: 311, 期号: 14, 页码: 3682-3686 作者:  Sun, Changhui;  Guo, Chunli;  Ma, Xiaojian;  Xu, Liqiang;  Qian, Yitai 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 Crystal morphology  Nanostructures  Nanomaterials  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Phase-selective synthesis of cubic boron nitride in hydrothermal solutions 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2004, 期号: 2, 页码: 570-574 作者:  Yu MY;  Li K;  Lai ZF;  Cui DL;  Hao XP 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/03 hydrothermal crystal growth  nitrides  semiconducting III-V materials  HIGH-PRESSURE  HIGH-TEMPERATURE  DIAMOND  NUCLEATION  REDUCTION  SYSTEM  GROWTH  MG   Phase-selective synthesis of cubic boron nitride in hydrothermal solutions 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 570-574 作者:  Yu, MY;  Li, K;  Lai, ZF;  Cui, DL;  Hao, XP 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/03 hydrothermal crystal growth  nitrides  semiconducting III-V materials