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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of homoepitaxial β-Ga2O3films prepared by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 404, 页码: 75-79 作者:  Du X.;  Mi W.;  Luan C.;  Li Z.;  Xia C. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/17 A1. X-ray diffraction  A3. Metal-organic chemical vapor deposition  B1. Oxides  B2. Semiconducting materials   Characterization of homoepitaxial beta-Ga2O3 films prepared by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 卷号: 404, 页码: 75-79 作者:  Du, Xuejian;  Mi, Wei;  Luan, Caina;  Li, Zhao;  Xia, Changtai 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/17 X-ray diffraction  Metal-organic chemical vapor deposition  Oxides  Semiconducting materials   Characterization of homoepitaxial β-Ga2O3films prepared by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2014, 卷号: 404, 页码: 75-79 作者:  Du, Xuejian;  Mi, Wei;  Luan, Caina;  Li, Zhao;  Xia, Changtai 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 The growth of Si1-yCy alloy on 6H-SiC homoepitaxial layers 期刊论文 Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2008, 卷号: 35, 期号: SUPPL. 2, 页码: 316-319 作者:  Yu, Fei;  Wu, Jun;  Han, Ping;  Wang, Ronghua;  Ge, Ruiping 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 4H-Si1-yCyalloy  C/Si ratio  Chemical vapor deposition(CVD)  Substitute C