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上海微系统与信息技... [46]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Low-Consumption Phase Change Material with Good Data Retention Selected from SbxTe
期刊论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 7040-7044
Gu, YF
;
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
SB
CRYSTALLIZATION
FILMS
Ge2Sb2Te5 Phase Change Memory Cell Featuring Platinum Tapered Heating Electrode For Low-Voltage Operation
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: -
Lv, SL
;
Song, ZT
;
Liu, Y
;
Feng, SL
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
FOCUSED ION-BEAMS
TECHNOLOGY
Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 108101-108101
Ren, K
;
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhou, XL
;
Xia, MJ
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Xi, W
;
Yao, DN
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
FILMS
Phase stability and electronic structure of Si2Sb2Te5 phase-change material
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2010, 卷号: 71, 期号: 8, 页码: 1165-1167
Sa, BS
;
Miao, NHH
;
Zhou, JA
;
Song, ZT
;
Sun, ZM
;
Ahuja, R
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
GE-SB-TE
DATA-STORAGE
Thermally induced phase separation of Si-Sb-Te alloy
期刊论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 2010, 卷号: 356, 期号: 18-19, 页码: 884-888
Cheng, Y
;
Yan, N
;
Han, XD
;
Zhang, Z
;
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
SI2SB2TE5
Three-Dimensional Finite Element Simulations for the Thermal Characteristics of PCRAMs with Different Buffer Layer Materials
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 88501-88501
Gong, YF
;
Song, ZT
;
Ling, Y
;
Liu, Y
;
Li, YJ
;
Feng, SL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
非易失顺序模块式存储器、其数据存储及读取方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN01329906, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2008-12-24
丁晟
;
宋志棠
;
陈邦明
;
刘波
;
陈小刚
;
蔡道林
;
封松林
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
The construction of Si2Sb2Te5 electrical probe storage based on UV nanoimprint lithography
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2009, 卷号: 20, 期号: 31, 页码: 315304-315304
Liu, YB
;
Zhang, T
;
Zhang, GX
;
Song, ZT
;
Zhang, J
;
Zhou, WM
;
Zhang, JP
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE MATERIAL
RANDOM-ACCESS MEMORY
IMPRINT LITHOGRAPHY
NONVOLATILE
SILICON
DEVICE
TE
Fabrication, constructions and electrical property of Si2Sb2Te5 electrical probe storage system
期刊论文
MICROSYSTEM TECHNOLOGIES-MICRO-AND NANOSYSTEMS-INFORMATION STORAGE AND PROCESSING SYSTEMS, 2009, 卷号: 15, 期号: 9, 页码: 1389-1393
Liu, YB
;
Song, ZT
;
Zhang, T
;
Zhang, GX
;
Zhang, J
;
Zhou, WM
;
Zhang, JP
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
PHASE-CHANGE
NANOIMPRINT LITHOGRAPHY
SB-TE
The effect of annealing and chemical mechanical polishing on Ge2Sb2Te5 phase change memory
期刊论文
SCRIPTA MATERIALIA, 2009, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 957-959
Zhong, M
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Chen, YF
;
Gong, YF
;
Rao, F
;
Feng, SL
;
Zhang, FX
;
Xiang, YH
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
DATA-STORAGE
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