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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Basic Wet-Etching Solutions for Ge2Sb2Te5 Phase Change Material 期刊论文 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2010, 卷号: 157, 期号: 4, 页码: H470-H473 Wang, LY; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Xiang, YH; Zhang, FX 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 CHANGE MEMORY CELLS  FILMS   Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation 期刊论文 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 卷号: 156, 期号: 5, 页码: H307-H310 Ma, XB; Chen, C; Liu, WL; Liu, XY; Du, XF; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/24 SUBSTRATE   Study of the Ge Wafer Surface Hydrophilicity after Low-Temperature Plasma Activation 期刊论文 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2009, 卷号: 156, 期号: 5, 页码: H307-H310 Ma, XB; Chen, C; Liu, WL; Liu, XY; Du, XF; song, zt(重点实验室）; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/05/10 Electrochemistry  Materials Science  Coatings & Films   High-Quality Thick GaN Overgrown on an Array of SiO2 Nanomasks by HVPE 期刊论文 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 卷号: 155, 期号: 12, 页码: H1000-H1002 Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Lu, HF; Gong, H; Li, XL; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL GAN  FABRICATION  FILMS   Thick GaN grown on a nanoporous GaN template by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: H273-H275 Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Gong, H; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-QUALITY GAN  PLANE SAPPHIRE  POROUS GAN  FILMS  NANOHETEROEPITAXY  FABRICATION  EPILAYERS  LAYERS  SI   Chemical mechanical polishing and a succedent reactive ion etching processing of sapphire wafer 期刊论文 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2007, 卷号: 154, 期号: 3, 页码: H166-H169 Wang, LY; Zhang, KL; Song, ZT; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/24 MIXED ABRASIVE SLURRIES  PLASMAS  FILMS  PH   Reactive ion etching of Ge2Sb2Te5 in CHF3/O-2 plasma for nonvolatile phase-change memory device 期刊论文 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2007, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: D47-D50 Feng, GM; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS   Comparative study on electrochemical techniques for determination of hydrogen diffusion coefficients in metal hydride electrodes 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED ELECTROCHEMISTRY, 2001, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 1033-1039 Yuan, X; Xu, N 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2011/12/20 MICROELECTRODE TECHNIQUE  IMPEDANCE SPECTROSCOPY  STORAGE ALLOYS  TRANSPORT  PARTICLES  CHARGE  LANI5  FILMS  STATE