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科研机构
上海微系统与信息技... [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2003 [1]
2001 [3]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [3]
1997 [1]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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65
70
75
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85
90
95
100
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发表日期升序
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Cu gettering to nanovoids in SOI materials
期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2003, 卷号: 46, 期号: 1, 页码: 60-70
Zhang, M
;
Wu, YJ
;
Liu, WL
;
An, ZH
;
Lin, CL
;
Chu, PK
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提交时间:2012/03/24
SILICON-OXIDES
CAVITIES
METALS
IMPLANTATION
BREAKDOWN
COPPER
VOIDS
Defect and strain in hydrogen and helium coimplanted single-crystal silicon
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 5-11
Duo, XZ
;
Liu, WL
;
Xing, S
;
Zhang, M
;
Fu, XR
;
Lin, CL
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
INDUCED EXFOLIATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
Comparison between the different implantation orders in H+ and He+ coimplantation
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 477-482
Duo, XZ
;
Liu, WL
;
Zhang, MA
;
Wang, LW
;
Lin, CL
;
Okuyama, M
;
Noda, M
;
Cheung, WY
;
Chu, PK
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/24
POSITRON-ANNIHILATION
INDUCED DEFECTS
SILICON
EXFOLIATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
Evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 3780-3786
Duo, XH
;
Liu, WL
;
Zhang, M
;
Wang, LW
;
Lin, CL
;
Okuyama, M
;
Noda, M
;
Cheung, WY
;
Wong, SP
;
Chu, PK
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
INDUCED EXFOLIATION
INDUCED DEFECTS
COIMPLANTATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
XTEM study of Ni gettering to H-implantation-induced nanocavities in SIMOX
期刊论文
2000 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION IMPLANTATION TECHNOLOGY, PROCEEDINGS, 2000, 页码: 281-284
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Duo, XZ
;
An, ZH
;
Lin, CL
;
Chu, PK
;
Scholz, R
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提交时间:2012/03/24
CAVITIES
SILICON
SEPARATION
Gettering of Cu by microcavities in bonded/ion-cut silicon-on-insulator and separation by implantation of oxygen
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 86, 期号: 8, 页码: 4214-4219
Zhang, MO
;
Zeng, XC
;
Chu, PK
;
Scholz, R
;
Lin, CL
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提交时间:2012/03/25
ION-IMPLANTATION
HYDROGEN
CAVITIES
COPPER
NICKEL
Nanocavities: an effective gettering method for silicon-on-insulator wafers
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 15, 期号: 7, 页码: 516-518
Zhang, M
;
Zeng, JM
;
Huang, JP
;
Lin, ZX
;
Zhou, ZY
;
Lin, CL
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2012/03/25
CAVITIES
COPPER
IMPLANTATION
BREAKDOWN
OXIDES
NICKEL
CARBON
Defects and voids in He+-implanted Si studied by slow-positron annihilation and transmission electron microscopy
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1998, 卷号: 66, 期号: 5, 页码: 521-525
Zhang, M
;
Scholz, R
;
Weng, H
;
Lin, C
收藏
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提交时间:2012/03/25
SILICON
CAVITIES
COPPER
Annealing behavior of crystalline Si implanted with high dose of protons
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1998, 卷号: 165, 期号: 2, 页码: 361-365
Zhang, M
;
Wang, LW
;
Zhou, ZY
;
Lin, ZX
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/25
SILICON
HYDROGEN
CAVITIES
AU
Observation of DC currents induced in MOS capacitors during NBTS aging
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 1997, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 171-177
Lu, DR
;
Li, BQ
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/25
SILICON DIOXIDE
GENERATION
HOLES
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