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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface dipole engineering in metal gate/high-k stacks 期刊论文 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2012, 卷号: 57, 期号: 22, 页码: 2872-2878 Huang, AP; Zheng, XH; Xiao, ZS; Wang, M; Di, ZF; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/17 high-k dielectrics  metal gate  interface dipole  MOS stack  effective work function   Preparation of high-quality Hf-aluminate films by EB-PVD 期刊论文 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING, 2006, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 1192-1194 Cheng, XH; Song, ZR; Yu, YH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 ATOMIC-LAYER DEPOSITION  THERMAL-STABILITY  GATE DIELECTRICS  SI(100)  (HFO2)(X)(AL2O3)(1-X)  SI   Investigation of Ge nanocrytals in a metal-insulator-semiconductor structure with a HfO2/SiO2 stack as the tunnel dielectric 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 11, 页码: 113105-113105 Wang, SY; Liu, WL; Wan, Q; Dai, JY; Lee, PF; Suhua, L; Shen, QW; Zhang, M; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 NANOCRYSTAL MEMORY DEVICE  GATE DIELECTRICS  CHARGE-STORAGE  SILICON NANOCRYSTALS  THERMAL-STABILITY  DEPOSITION   Studies on Al2O3/ZrO2/Al2O3 high K gate dielectrics applied in a fully depleted SOI MOSFET 期刊论文 METALS AND MATERIALS INTERNATIONAL, 2004, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 475-478 Lin, CL; Zhang, NL; Shen, QW 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 ZRO2/SIO2/SI LAYERED STRUCTURE  THERMAL-STABILITY  CAPACITORS  FILM  ZRO2  HFO2   Applications of cubic MgZnO thin Films in metal-insulator-silicon structures 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 1135-1138 Liang, J; Wu, HZ; Lao, YF; Qiu, DJ; Chen, NB; Xu, TN 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 GATE DIELECTRICS  TEMPERATURE  TRANSPORT  SI(111)   High frequency capacitance-voltage characterization of Al2O3/ZrO2/Al2O3 in fully depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor capacitors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 83, 期号: 25, 页码: 5238-5240 Zhang, NL; Song, ZT; Shen, QW; Wu, YJ; Liu, QB; Lin, CL; Duo, XZ; Zheng, LR; Ding, YF; Zhu, ZQ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 ZRO2/SIO2/SI LAYERED STRUCTURE  THERMAL-STABILITY  MOS CAPACITORS  FILM  ZRO2  DIELECTRICS  HFO2   Stress current calculation of stacked dielectrics in time dependent dielectric breakdown 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 6, 页码: 4032-4035 Yang, WW; Cheng, XH; Xing, YM; Li, WJ; Yu, YH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 TUNNELING CURRENTS  OXIDE THICKNESS  LEAKAGE CURRENT  MOS CAPACITORS  MODEL  INTERFACES  SIO2   Microstructural and electrical properties of ZrO2 thin films prepared on silicon on insulator with thin top silicon 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 273-276 Zhang, NL; Song, ZT; Shen, QW; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 FIELD-EFFECT-TRANSISTORS  K GATE DIELECTRICS  THERMAL-STABILITY  RELIABILITY  SI