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科研机构
上海微系统与信息技... [17]
内容类型
期刊论文 [16]
学位论文 [1]
发表日期
2009 [4]
2007 [2]
2004 [2]
2003 [1]
2001 [2]
1999 [1]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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75
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85
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Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B
;
Wu, AM
;
Zhang, M
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903
Ou, X
;
Kogler, R
;
Mucklich, A
;
Skorupa, W
;
Moller, W
;
Wang, X
;
Vines, L
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SOI MOSFETS
SILICON
SI
HELIUM
SEPARATION
DEFECTS
TEMPERATURE
HYDROGEN
BUBBLES
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2013/05/10
BURIED OXIDE LAYERS
SILICON
DISLOCATIONS
GENERATION
VOIDS
AU
Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4
Ou, X
;
Zhang, B(重点实验室)
;
Wu, AM(重点实验室)
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
Nuclear Science & Technology
Physics
Nuclear
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried oxides by silicon ion implantation
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2007, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 388-390
He, W
;
Zhang, ZX
;
Zhang, EX
;
Qian, C
;
Tian, H
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
Research on ion implantation effect on SIMOX material modification technique by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 257, 页码: 199-202
Zhanga, EX
;
Zhang, ZX
;
Chen, J
;
Song, ZR
;
Yang, H
;
He, W
;
Tian, H
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
BURIED OXIDES
OXYGEN
NITROGEN
HARDNESS
DEFECTS
A-SIO2
Optimizing boron implantation dose of HgCdTe infrared detectors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2004, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 911-914
Chen, GB
;
Lu, W
;
Cai, WY
;
Li, ZF
;
Chen, XS
;
Hu, XN
;
He, L
;
Shen, XC
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE EPITAXY
HG1-XCDXTE
GROWTH
Patterned buried oxide layers under a single MOSFET to improve the device performance
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: L25-L28
Dong, YM
;
Chen, M
;
Chen, J
;
Wang, X
;
Wang, X
;
He, P
;
Lin, X
;
Tian, LL
;
Li, ZJ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
SOI MOSFETS
IMPLANTATION
SEPARATION
Investigation of thermal property of novel DSOI MOSFETs fabricated with local SIMOX technique
期刊论文
Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 117-121
Lin,Xi
;
He,Ping
;
Tian,Lilin
;
Li,Zhijian
;
Dong,Yemin
;
Chen,Meng
;
Wang,Xi
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/24
硅中H+ He+离子注入引起的物理效应与SOI高速度传感器的研制
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2001
多新中
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2012/03/06
硅集成电路
SOI技术
离子注入
物理效应
加速度传感器
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